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HX-RHT8000A半导体快速热处理设备

   货号:603chc194lf0711

产品介绍
HX-RHT 8000A 自动半导体快速热处理设备是专门为批量生产超大规模集成电路和半导体(化合物半导体)器件而设计的产品,可以对直径200mm(8英寸)以下的半导体硅片做各种热处理(时间从几秒到几小时,温度从600℃至1200℃)。实现全自动单片式操作,每小时可处理45片以上。

    它是由红外热处理石英腔、高频感应加热炉、光学测温仪、闸门机构、取放片机构、传送片机构、气路及其控制装置以及工业PC机等部分组成,其设备框图如下所示。

主要特点:

先进独特的加热方式
· 半导体硅片升温、冷却速率远高于其它类型设备;
· 采用高频感应加热石英腔内的高纯石墨腔做为热辐射源,半导体片位于环形石墨腔中间,受热均匀,热处理后半导体片不产生晶体滑移;
· 环形石墨腔周围的红外反射板大大降低了能耗,并进一步改善了温度均匀性。

周密细致的防污措施
· 环形石墨腔以高纯碳化硅包封,以防止对半导体硅片的污染;
· 热处理过程中,石英腔内保护气体保持正压,以减少外部污染可能;

可靠高效的控制系统
· 折叠机械手取送片系统;
· 具有质量流量控制器的气路系统;
· 采用无接触光学测温系统,主控机实施闭环温度控制;
· 工控PC(PIII级)机作为主控制机。菜单式工作方式,界面友好,操作简单;
· 具有冷却水、保护气、安全门,超温报警、断电等安全保护措施。设备安全可靠,耗能少,维修方便。
方便简易的软件操作
·菜单式工作方式,界面友好,操作简单。
主要应用:
·离子注入退火:注入杂质电激活率高,彻底消除注入损伤;
·高浓度浅 PN 结制造;
·自对准难熔金属硅化物形成(Salicide);
·磷硅或硼磷硅玻璃回流(Reflow);
·薄氧化层快速热氮化(RTN);
·半导体片微缺陷与热施主消除。

圆片尺寸 200mm以下
热处理温度 600-1200℃
最高加热温度 1350℃
控温精度 ±1℃
生产效率 45~60片/小时
适用环境 大批量生产工艺线
最大升温速率 300℃ / 秒
最大降温速率 80℃ / 秒
电阻均匀性 ≦1%
电源功率 40KW以下
晶片平整度变化 ≦±2um

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