晶体结构

 四方Tetragona(4m):13^oC<T<132^oC a=3.99Å,c=4.04,(at26^oC)

生长方法

TSSG (Top Seeded Solution Growth) 顶部籽晶法

熔点

1612 ^oC  

折射率

515 nm

  633 nm 

800 nm

n_o

2.4912

2.4160

2.3681

n_e 

2.4247

2.3630

  2.3235

透过波长范围

0.43 - 6.30 mm

电光系数

 r^T₁₃=8±2pm/V   r^T₃₃=105±10pm/V r^T₄₂=1300±100pm/V  

自泵浦相位共轭反射率

（0度切）

 50 - 70 %  for l = 515 nm(Ce: BaTiO₃)   

 40-60% (PureBaTiO₃) for l = 515 nm

 50 - 80 %  for l = 633 nm(Ce: BaTiO₃)

 40-60%   for l = 633 nm (PureBaTiO₃)  

二波混频耦合系数  

10 -40  cm^-1  

吸收损失  

  l:      515 nm          633 nm          800 nm

  a:      0.285cm^-1        0.108cm^-1         0.033cm^-1  

光折变效应的工作波长  

 Undoped BTO:  for  visible

 Ce:BTO :480-780nm

 Rh:BTO :for 720-1060nm